Условие задачи
При изменении температуры чистого беспримесного полупроводника от значения 400К до T2 увеличивается в 8 раз собственная концентрация носителей от n1 до n2. Ширина запрещенной зоны полупроводника ∆E 0,54эВ.
Найти конечную температуру полупроводника.
Дано:
T1=400К
n2/n1 =8
∆E=0,54эВ =8,64∙10-20 Дж
Найти:
Т2 - ?
Ответ
Концентрация электронов проводимости n в чистом полупроводнике пропорциональна больцмановскому множителю:
где ∆E - ширина запрещенной зоны полупроводника,
k- постоянная Больцмана,
...
Потяни
