При изменении температуры чистого беспримесного полупроводника от значения 400К до T2 увеличивается в 8 раз собственная концентрация носителей от n1 до n2. Ширина запрещенной зоны полупроводника ∆E 0,54эВ. Найти конечную температуру полупроводника.
«При изменении температуры чистого беспримесного полупроводника от значения 400К до T2 увеличивается в 8 раз собственная концентрация носителей от n1 до n2. Ширина запрещенной зоны полупроводника ∆E 0,54эВ. Найти конечную температуру полупроводника.»
- Физика
Условие:
При изменении температуры чистого беспримесного полупроводника от значения 400К до T2 увеличивается в 8 раз собственная концентрация носителей от n1 до n2. Ширина запрещенной зоны полупроводника ∆E 0,54эВ.
Найти конечную температуру полупроводника.
Дано:
T1=400К
n2/n1 =8
∆E=0,54эВ =8,64∙10-20 Дж
Найти:
Т2 - ?
Решение:
Концентрация электронов проводимости n в чистом полупроводнике пропорциональна больцмановскому множителю:
где ∆E - ширина запрещенной зоны полупроводника,
k- постоянная Больцмана,
...
Похожие задачи
Не нашел нужную задачу?
Воспользуйся поиском
AI помощники
Выбери предмет
S
А
Б
В
Г
И
К
М
П
- Правоохранительные органы
- Пожарная безопасность
- Парикмахерское искусство
- Природообустройство и водопользование
- Почвоведение
- Приборостроение и оптотехника
- Промышленный маркетинг и менеджмент
- Производственный маркетинг и менеджмент
- Процессы и аппараты
- Программирование
- Право и юриспруденция
- Психология
- Политология
- Педагогика
С
Т
- Трудовое право
- Теория государства и права (ТГП)
- Таможенное право
- Теория игр
- Теория вероятностей
- Теоретическая механика
- Теория управления
- Технология продовольственных продуктов и товаров
- Технологические машины и оборудование
- Теплоэнергетика и теплотехника
- Туризм
- Товароведение
- Таможенное дело
- Торговое дело
- Теория машин и механизмов
- Транспортные средства
Ф
Э