1. Главная
  2. Библиотека
  3. Физика
  4. При изменении температуры чистого беспримесного полупроводника от значения 400К до T2 увеличивается в 8 раз собственная ко...

При изменении температуры чистого беспримесного полупроводника от значения 400К до T2 увеличивается в 8 раз собственная концентрация носителей от n1 до n2. Ширина запрещенной зоны полупроводника ∆E 0,54эВ. Найти конечную температуру полупроводника.

«При изменении температуры чистого беспримесного полупроводника от значения 400К до T2 увеличивается в 8 раз собственная концентрация носителей от n1 до n2. Ширина запрещенной зоны полупроводника ∆E 0,54эВ. Найти конечную температуру полупроводника.»
  • Физика

Условие:

При изменении температуры чистого беспримесного полупроводника от значения 400К до T2 увеличивается в 8 раз собственная концентрация носителей от n1 до n2. Ширина запрещенной зоны полупроводника ∆E 0,54эВ.

Найти конечную температуру полупроводника. 

Дано:

T1=400К

n2/n1 =8

∆E=0,54эВ =8,64∙10-20 Дж

Найти:

Т2 - ?

Решение:

Концентрация электронов проводимости n в чистом полупроводнике пропорциональна больцмановскому множителю:

где ∆E - ширина запрещенной зоны полупроводника,

k- постоянная Больцмана,

...

Не нашел нужную задачу?

Воспользуйся поиском

Выбери предмет