Во сколько раз изменится концентрация электронов в зоне проводимости беспримесного полупроводника, ширина запрещенной зоны которого равна Eg=0,3 эВ, при повышении температуры от T1=300 К до T2=310 К?

Во сколько раз изменится концентрация электронов в зоне проводимости беспримесного полупроводника, ширина запрещенной зоны которого равна  Eg=0,3 эВ, при повышении температуры от Т₁=300К  до Т₂=310К? Отношение эффективных масс дырок и электронов считать равным 10.