1. Главная
  2. Библиотека
  3. Электроника, электротехника, радиотехника
  4. В p-n-p транзисторе, включённом в схему с общим коллектором, коэффициент передачи тока базы β = 200. В активном режиме на...

В p-n-p транзисторе, включённом в схему с общим коллектором, коэффициент передачи тока базы β = 200. В активном режиме на эмиттере существует избыточная концентрация дырок Δp = 10¹⁵ cm⁻³. Толщина базы W = 20μm, время жизни носителей в базе τ = 5μs.

«В p-n-p транзисторе, включённом в схему с общим коллектором, коэффициент передачи тока базы β = 200. В активном режиме на эмиттере существует избыточная концентрация дырок Δp = 10¹⁵ cm⁻³. Толщина базы W = 20μm, время жизни носителей в базе τ = 5μs.»
  • Электроника, электротехника, радиотехника

Условие:

Задача:
В p-n-p транзисторе, включённом в схему с общим коллектором, коэффициент передачи тока базы β
ок
​
=200. В активном режиме на эмиттере существует избыточная концентрация дырок Δp=10
15
cm
−3
, толщина базы W=20μm, время жизни носителей в базе τ=5μs. Площадь эмиттера S
Э
​
=10
−3
cm
2
. Эффективность эмиттера γ=1. Определить ток базы.

Решение:

Чтобы определить ток базы в p-n-p транзисторе, включённом в схему с общим коллектором, воспользуемся следующими шагами. ### Шаг 1: Определение тока эмиттера Ток эмиттера \( I_E \) можно рассчитать по формуле: \[ I_E = q \cdot S_E \cdot \Delta p \cdot \tau \] где: - \( q \) — заряд электрона (\( q \approx 1.6 \times 10^{-19} \) Кл), - \( S_E \) — площадь эмиттера, - \( \Delta p \) — избыточная концентрация дырок, - \( \tau \) — время жизни носителей. Подставим известные значения: - ...

Похожие задачи

Не нашел нужную задачу?

Воспользуйся поиском

AI помощники

Выбери предмет

E
S
А
Б
В
Г
Д
Е
Ж
З
И
К
Л
М
Н
О
П
Р
С
Т
У
Ф
Х
Ц
Ч
Э
Я