В полупроводнике н-типа уровень Ферми расположен на двадцать пять сотых эВ выше середины запрещенной зоны триста .  Концентрации основных и неосновных носителей заряда н и п.

В полупроводнике n-типа уровень Ферми E_Fn расположен на 0,25 эВ выше середины запрещенной зоны Еi, Т= 300К. 
Концентрации основных и неосновных носителей заряда n_n и рⁿ.