В полупроводнике н-типа уровень Ферми расположен на двадцать пять сотых эВ выше середины запрещенной зоны триста . Концентрации основных и неосновных носителей заряда н и п.
«В полупроводнике н-типа уровень Ферми расположен на двадцать пять сотых эВ выше середины запрещенной зоны триста . Концентрации основных и неосновных носителей заряда н и п.»
- Электроника, электротехника, радиотехника
Условие:
В полупроводнике n-типа уровень Ферми EFn расположен на 0,25 эВ выше середины запрещенной зоны Еi, Т= 300К.
Концентрации основных и неосновных носителей заряда nn и рn.
Решение:
Для электронного полупроводника
.
По закону действующих масс:, где- собственная концентрация носителей заряда для германия (Ge).
Похожие задачи
Не нашел нужную задачу?
Воспользуйся поиском
AI помощники
Выбери предмет
S
А
Б
В
Г
И
К
М
П
- Правоохранительные органы
- Пожарная безопасность
- Парикмахерское искусство
- Природообустройство и водопользование
- Почвоведение
- Приборостроение и оптотехника
- Промышленный маркетинг и менеджмент
- Производственный маркетинг и менеджмент
- Процессы и аппараты
- Программирование
- Право и юриспруденция
- Психология
- Политология
- Педагогика
С
Т
- Трудовое право
- Теория государства и права (ТГП)
- Таможенное право
- Теория игр
- Теория вероятностей
- Теоретическая механика
- Теория управления
- Технология продовольственных продуктов и товаров
- Технологические машины и оборудование
- Теплоэнергетика и теплотехника
- Туризм
- Товароведение
- Таможенное дело
- Торговое дело
- Теория машин и механизмов
- Транспортные средства
Ф
Э