Барьерная емкость диода равна Cб1 = 200 пФ=200∙10-12 Ф при обратном напряжении UОБР = 2 В. Какое требуется обратное напряжение, чтобы уменьшить емкость до Cб2 = 50 пФ=50∙10-12 Ф, если контактная разность потенциалов φК =0,82 В ?

Барьерная емкость диода равна Cб1 = 200 пФ=200∙10-12 Ф при обратном напряжении UОБР =  2 В. Какое требуется обратное напряжение, чтобы уменьшить емкость до Cб2 = 50 пФ=50∙10-12 Ф, если контактная разность потенциалов  φК  =0,82 В  ?