1. Главная
  2. Библиотека
  3. Электроника, электротехника, радиотехника
  4. Барьерная емкость диода равна Cб1 = 200 пФ=200∙10-12 Ф при обратном напряжении UОБР = 2 В. Какое требуется обратное напряж...

Барьерная емкость диода равна Cб1 = 200 пФ=200∙10-12 Ф при обратном напряжении UОБР = 2 В. Какое требуется обратное напряжение, чтобы уменьшить емкость до Cб2 = 50 пФ=50∙10-12 Ф, если контактная разность потенциалов φК =0,82 В ?

«Барьерная емкость диода равна Cб1 = 200 пФ=200∙10-12 Ф при обратном напряжении UОБР = 2 В. Какое требуется обратное напряжение, чтобы уменьшить емкость до Cб2 = 50 пФ=50∙10-12 Ф, если контактная разность потенциалов φК =0,82 В ?»
  • Электроника, электротехника, радиотехника

Условие:

Барьерная емкость диода равна Cб1 = 200 пФ=200∙10-12 Ф при обратном напряжении UОБР =  2 В. Какое требуется обратное напряжение, чтобы уменьшить емкость до Cб2 = 50 пФ=50∙10-12 Ф, если контактная разность потенциалов  φК  =0,82 В  ?

 

Решение:

Барьерная емкость p-n перехода определяется по формулеСб= k/( К+ UОБР); где k= ...

Не нашел нужную задачу?

Воспользуйся поиском

Выбери предмет