По заданным статическим вольтамперным характеристикам (ВАХ) биполярного транзистора (рис 1 и 2) и исходным данным, для схемы включения маломощного кремниевого транзистора с общим эмиттером (рис.3)

По заданным статическим вольтамперным характеристикам (ВАХ) биполярного транзистора (рис 1 и 2) и исходным данным, для схемы включения маломощного кремниевого транзистора с общим эмиттером (рис.3)
Для ключевого режима:
- определить остаточное напряжение на открытом транзисторе Uост, выходной ток Iк нас, сопротивление транзистора в состоянии "включено"

Для режима усиления:

- определить значения постоянных токов и напряжений в рабочей точке - тока базы Iб, напряжения база-эмиттер Uбэ, тока коллектора Iк, выходного напряжения Uкэ; определить мощность, рассеиваемую на коллекторе транзистора Рк и на резисторе PRk;

- построить зависимость тока коллектора Ik от тока базы Iб и определить по ней, при каких значениях тока коллектора и тока базы транзистор входит в режим насыщения; отметить на построенном графике участки активного режима и режима насыщения; определить по граику коэффициент передачи тока базы h21э;

- построить на выходных ВАХ временные диаграммы синусоидальных составляющих токов и напряжений, соответствующие максимальной амплитуде переменной составляющей напряжения коллектор-эмиттер, еще не приводящей к заметным искажениям (и ограничению), и рассчитать коэффициенты усиления переменного сигнала по напряжению Кu, по мощности Кр, входное и выходное сопротивление Rвх и Rвых, полезную мощность в нагрузке РR~; Rвкл, мощность, рассеиваемую на коллекторе транзистора в состоянии"включено" Рк вкл, ток базы, необходимый для включения транзистора Iб вкл, мощность, необходимую для включения транзистора Рвх вкл.

Исходные данные: I_Б=50 мкА, Е_К=4,5 В, R_K=1,12 кОм.