Транзистор включен в усилительный каскад (класс усиления А)  по схеме с общим эмиттером (рис. 5.2) при ЭДС источника питания Ек. Характеристики  транзистора приведены в таблице 5.2 и на рис. 5.3

Расчет параметров каскада по схеме ОЭ.

  Транзистор включен в усилительный каскад (класс усиления А)  по схеме с общим эмиттером (рис. 5.2) при ЭДС источника питания Е_к. Характеристики  транзистора приведены в таблице 5.2 и на рис. 5.3. Известны параметры усилительного каскада и усиливаемого сигнала: постоянная составляющая тока базы I_б0, амплитуда переменной составляющей тока базы I_бm, величины сопротивления R_к, сопротивление нагрузки R_н, максимально допустимая мощность Р_кmax, нижняя f_пн и верхняя f_пв частоты полосы пропускания усиливаемых сигналов.

Таблица 5.2 -Задание к задаче № 5.2.1

Принять, что каскад работает в нормальных стационарных условиях, поэтому влиянием температуры на режим транзистора можно пренебречь. 

Допускается проводить линии характеристик между линиями, представленными на рис. 5.2.

а)                                                                                 б)

Рис. 5.2. Схема с ОЭ (а) и необходимые временные диаграммы (б) к задаче 5.2.1

Необходимопостроить:

- линию Р_кmax(U_кэ), как функцию напряжения U_кэ;

- линию нагрузки как функцию I_кэ(R_к, U_кэ) по постоянному и переменному току;

Определить:

- постоянные составляющие тока I_к0 и напряжения U_кэ0 коллектора;

- амплитуду переменной составляющей тока коллектора I_к0m;

- амплитуду выходного напряжения U_выхm;

- коэффициенты усиления K_I, K_U, K_P;

- выходную мощность Р_вых.к, мощность, рассеиваемую на нагрузке постоянной составляющей тока коллектора Р_к0, 

-полную потребляемую мощность в коллекторной цепи Р₀; 

- КПД  h коллекторной цепи;

- напряжение смещения U_бэ0 и амплитуду входного сигнала  U_бэm;

- входную мощность Р_вх;

- входное сопротивление сигнала R_вх;

- сопротивление резисторов R₁ и R₂;

- емкость разделительных конденсаторов С₁ и С₂, конденсатора в цепи эмиттера С_э с учетом того, что диапазон усиливаемых колебаний (f_пн-f_пв ).

Для исследуемой схемы необходимо нарисовать временные диаграммы параметров, приведенных на рис. 5.2, б.

- рассчитать и объяснить физический смысл малосигнальных h-параметров транзистора VТ с учетом его характеристик.