Условие задачи
Отношение ширины участков резкого p-n-перехода, лежащих в n- и р-областях ∆n/∆p = 0,1. Удельная электрическая проводимость р − области σр = 10 См/см, T=300
Определить:
Контактную разность потенциалов φк и ширину перехода ∆0 в равновесном состоянии (u = 0)
Дополнительные сведения:
Материал полупроводника – Si
Диффузионная длина электронов Ln = 0,015 см
Диффузионная длина дырок Lр = 0,01 см
Площадь перехода: S = 0,04 см2
Подвижности носителей в кремнии.
Ответ
Выписываем значения физических параметров полупроводника в кремнии при Т = 300 К:
Собственная концентрация носителей заряда: ni=1,45∙1010 см-3
Определим ширину ∆0 резкого p-n перехода в равновесном состоянии.
Здесь:
Относительная диэлектрическая проницаемость кремния 0=11,9.
q=1,6∙10-19 Кл заряд электрона.
0=8,85∙10-12 Ф/м электрическая постоянная
