1. Главная
  2. Библиотека
  3. Электроника, электротехника, радиотехника
  4. Определить: Контактную разность потенциалов φк и ширину перехода ∆ ноль в равновесном состоянии (u равно нулю). Дополнител...

Определить: Контактную разность потенциалов φк и ширину перехода ∆ ноль в равновесном состоянии (u равно нулю). Дополнительные сведения: Материал полупроводника – Si.

«Определить: Контактную разность потенциалов φк и ширину перехода ∆ ноль в равновесном состоянии (u равно нулю). Дополнительные сведения: Материал полупроводника – Si.»
  • Электроника, электротехника, радиотехника

Условие:

Отношение ширины участков резкого p-n-перехода, лежащих в n- и р-областях ∆n/∆p = 0,1. Удельная электрическая проводимость р − области σр = 10 См/см, T=300

Определить: 

Контактную разность потенциалов φк и ширину перехода ∆0 в равновесном состоянии (u = 0)

Дополнительные сведения:

Материал полупроводника – Si

Диффузионная длина электронов Ln = 0,015 см

Диффузионная длина дырок Lр = 0,01 см

Площадь перехода: S = 0,04 см2

Подвижности носителей в кремнии.

Решение:

Выписываем значения физических параметров полупроводника в кремнии при Т = 300 К:

Собственная концентрация носителей заряда: ni=1,45∙1010 см-3

Определим ширину ∆0 резкого p-n перехода в равновесном состоянии.

Здесь:

Относительная диэлектрическая проницаемость кремния 0=11,9.

q=1,6∙10-19 Кл заряд электрона.

0=8,85∙10-12 Ф/м электрическая постоянная

Похожие задачи

Не нашел нужную задачу?

Воспользуйся поиском

AI помощники

Выбери предмет

E
S
А
Б
В
Г
Д
Е
Ж
З
И
К
Л
М
Н
О
П
Р
С
Т
У
Ф
Х
Ц
Ч
Э
Я