По заданным статическим вольтамперным характеристикам (ВАХ) биполярного транзистора и исходным данным, приведенным в табл. 1, для схемы включения маломощного кремниевого транзистора с общим эмиттером (ОЭ) выполнить следующие графоаналитические расчеты:

По заданным статическим вольтамперным характеристикам (ВАХ) биполярного транзистора и исходным данным, приведенным в табл. 1,

для схемы включения маломощного кремниевого транзистора с общим эмиттером (ОЭ) (рис. 1)

выполнить следующие графоаналитические расчеты:

а) определить значения постоянных токов и напряжений в рабочей точке - тока базы , напряжения база-эмиттер , тока коллектора , выходного напряжения ; определить мощность, рассеиваемую на коллекторе транзистора РК и на резисторе .

б) построить зависимость тока коллектора от тока базы и определить по ней, при каких значениях тока коллектора и тока базы транзистор входит в режим насыщения; отметить на построенном графике участки активного режима и режима насыщения; определить по графику коэффициент передачи тока базы .

в) построить на выходных ВАХ временные диаграммы синусоидальных составляющих токов и напряжений, соответствующие максимальной амплитуде переменной составляющей напряжения коллектор-эмиттер, еще не приводящей к заметным искажениям (и ограничению), и рассчитать коэффициенты усиления переменного сигнала по напряжению , по мощности , входное и выходное сопротивление и , полезную мощность в нагрузке ; , мощность, рассеиваемую на коллекторе транзистора, в состоянии "включено" ; ток базы, необходимый для включения транзистора ; мощность, необходимую для включения транзистора .