О чём рассказывается в презентации:
Презентация посвящена методам измерения S-параметров полупроводниковых структур на СВЧ, раскрывая ключевые подходы к их характеристике. Обсуждаются особенности работы с микроволновыми транзисторами, включая необходимость калибровки и нормализации результатов. Также рассматриваются современные методы, такие как двухсигнальный и пространственно-удаленной нагрузки, которые обеспечивают высокую точность измерений в условиях несогласованных нагрузок.
Оглавление
МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ S-ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР НА СВЧ
S-параметры описывают поведение линейных сетей на СВЧ
Полупроводниковые структуры на СВЧ требуют специальных методов измерения
Основные принципы измерения S-параметров включают калибровку
Метод двух сигналов позволяет измерять S-параметры транзисторов
Модифицированные методы двух сигналов устраняют неопределенность
Методы адекватного измерения повышают надежность результатов
Симулятор-анализаторы реализуют измерения в mismatched условиях
Нормализация S-параметров от коаксиала к микрополосковой трассе обязательна
Метод пространственно-удаленной нагрузки измеряет на высоких мощностях
Векторные анализаторы цепей — стандарт для S-параметров на СВЧ
Калибровка TRL минимизирует ошибки в полупроводниковых структурах
On-wafer измерения с пробниками характеризуют чипы напрямую
Методы двух сигналов дают точность до 5% на частотах до 10 ГГц
Нормализация снижает ошибку S-параметров на 20-30%
Методы дополняют друг друга для анализа устойчивости цепей
Ключевые выводы
Спасибо за внимание
