О чём рассказывается в презентации:
Презентация посвящена методам измерения S-параметров полупроводниковых структур на СВЧ, раскрывая ключевые подходы к их характеристике. Обсуждаются особенности работы с микроволновыми транзисторами, включая необходимость калибровки и нормализации результатов. Также рассматриваются современные методы, такие как двухсигнальный и пространственно-удаленной нагрузки, которые обеспечивают высокую точность измерений в условиях несогласованных нагрузок.
