О чём рассказывается в презентации:
Презентация посвящена технологиям карбида кремния (SiC) в силовой электронике, раскрывая их ключевые преимущества для энергетики и электротранспорта. Рассматриваются инновации, позволяющие значительно снизить потери энергии и повысить КПД инверторов, а также миниатюризация систем благодаря высокочастотной коммутации. Участники узнают о растущем влиянии SiC на рынок и его стратегической важности для электромобилей и возобновляемых источников энергии.
Оглавление
Технологии карбида кремния в силовой электронике
Широкозонные полупроводники меняют парадигму силовой электроники
Снижение потерь энергии на 50–80 процентов по сравнению с кремнием
Рост плотности мощности через высокочастотную коммутацию
Снижение общей стоимости системы при более высокой цене кристалла
Рынок SiC растет на 25–30 процентов ежегодно в период 2024–2026
Электромобили как ключевой потребитель SiC-технологий
Расширение применения в энергетике и серверной инфраструктуре
Новые методы корпусирования улучшают теплоотвод
Зрелость SiC-технологий по уровню дефектности
Стратегический переход на 200-мм подложки к 2026 году
Итоги внедрения технологии SiC
Спасибо за внимание
