Широкозонные полупроводники SiC и GaN: Революция в силовой электронике

1. Ключевые выводы / Энергетическое машиностроение.
2. Тепловые потери: обзор по теме «Широкозонные полупроводники SiC и GaN: Революция в силовой электронике».

Презентация посвящена широкозонным полупроводникам SiC и GaN, которые кардинально меняют подходы в силовой электронике. Эти материалы не только превосходят кремний по физическим характеристикам, но и обеспечивают значительное снижение тепловых потерь и повышение КПД. Важная роль SiC и GaN в электромобилях и серверных системах подчеркивает их значение для устойчивого развития и декарбонизации.