1. Главная
  2. Библиотека
  3. Автоматика и управление
  4. Кремниевый триодный тиристор имеет толщину n-базы, равн...
Разбор задачи

Кремниевый триодный тиристор имеет толщину n-базы, равную 120 мкм, и толщину р-базы, равную 50 мкм. Определить время включения тиристора, полагая, что оно определяется временем пролета носителей заряда через базу. Коэффициенты диффузии электронов и дырок

  • Предмет: Автоматика и управление
  • Автор: Кэмп
  • #Датчики и преобразователи в системах управления
  • #Технические средства автоматизации
Кремниевый триодный тиристор имеет толщину n-базы, равную 120 мкм, и толщину р-базы, равную 50 мкм. Определить время включения тиристора, полагая, что оно определяется временем пролета носителей заряда через базу. Коэффициенты диффузии электронов и дырок

Условие:

Кремниевый триодный тиристор имеет толщину n-базы, равную 120 мкм, и толщину р-базы, равную 50 мкм. Определить время включения тиристора, полагая, что оно определяется временем пролета носителей заряда через базу. Коэффициенты диффузии электронов и дырок принять соответственно Dn=0.31102μ2/c,Dp=0.065102μ2/cD_{n}=0.31 \cdot 10^{-2}{ }_{\mu}{ }^{2} / c, D_{p}=0.065 \cdot 10^{-2}{ }_{\mu}{ }^{2} / c. Ответ дать в мкс, округлив до целого числа.

Решение:

1. Дано

  • Толщина nn-базы (ширина nn-области): Wn=120 мкм=120×104 смW_n = 120 \text{ мкм} = 120 \times 10^{-4} \text{ см}.
  • Толщина pp-базы (ширина pp-области): Wp=50 мкм=50×104 смW_p = 50 \text{ мкм} = 50 \times 10^{-4} \text{ см}.
  • Коэффициент диффузии электронов: Dn=0.31102 см2/сD_n = 0.31 \cdot 10^{-2} \text{ см}^2/\text{с}.
  • Коэффициент диффузии дырок: Dp=0.065102 см2/сD_p = 0.065 \cdot 10^{-2} \text{ см}^2/\text{с}.

2. Найти

Время включения тиристора tont_{on} в микросекундах (μс\mu\text{с}), округленное до целого числа.

3. Решение

Время включения тиристора (tont_{on}) при включении определяется временем, необходимым для...

Внутри — полный разбор, аргументация, алгоритм решения, частые ошибки и как отвечать на каверзные вопросы препода, если спросит

Попробуй решить по шагам

Попробуй один шаг и продолжи в режиме обучения или посмотри готовое решение

Какая формула используется для оценки времени пролета носителей заряда через базу полупроводникового прибора, если известны толщина базы (W) и коэффициент диффузии (D) неосновных носителей?

Что нужно знать по теме:

Что нужно знать по теме

Алгоритм решения

Топ 3 ошибок

Что спросит препод

Выбери предмет