НЕПРАВИЛЬНОЕ утверждение относительно примесного уровня в полупроводнике n-типа: Множественный выбор 1 Вопрос 20 * расположен вблизи дна зоны проводимости * с повышением температуры наблюдается переход электронов с данного уровня в зону проводимости *

6 ноября 2025
Другое

Условие:

НЕПРАВИЛЬНОЕ утверждение относительно примесного уровня в полупроводнике n-типа:

Множественный выбор 1 Вопрос 20
расположен вблизи дна зоны проводимости
с повышением температуры наблюдается переход электронов с данного уровня в зону проводимости
при нулевой температуре полностью заполнен электронами
энергетическое расстояние между уровнем и дном зоны проводимости сравнимо с шириной запрещенной зоны

Решение:

Рассмотрим каждое утверждение по отдельности: 1. «Расположен вблизи дна зоны проводимости.» Уровень донорного примеса в n-типе находится малым расстоянием ниже дна зоны проводимости. Это утверждение верно. 2. «С повышением температуры наблюдается переход электронов с данного уровня в зону проводимости.» При нагр...