Условие:
НЕПРАВИЛЬНОЕ утверждение относительно примесного уровня в полупроводнике n-типа:
Множественный выбор 1 Вопрос 20
расположен вблизи дна зоны проводимости
с повышением температуры наблюдается переход электронов с данного уровня в зону проводимости
при нулевой температуре полностью заполнен электронами
энергетическое расстояние между уровнем и дном зоны проводимости сравнимо с шириной запрещенной зоны
Решение:
Рассмотрим каждое утверждение по отдельности: 1. «Расположен вблизи дна зоны проводимости.» Уровень донорного примеса в n-типе находится малым расстоянием ниже дна зоны проводимости. Это утверждение верно. 2. «С повышением температуры наблюдается переход электронов с данного уровня в зону проводимости.» При нагр...