Условие:
Дано (n-MOSFET): (V_{DD}) = 5 В, (R_D) = 500 Ом, затвор запитан от источника (V_G) = 3.0 В; источник на земле. Параметры транзистора: (V_{TH}) = 1.2 В, (\mu_n C_{ox}) = 200 мкА/В(^2), (\frac{W}{L}) = 10, (\lambda) = 0.02 В(^{-1}). Найти: область работы (триод/насыщение), (I_D), (V_{DS}), (g_m), (r_o), приближённый коэффициент усиления по напряжению (A_v \approx -g_m(R_D \parallel r_o)).

