1. Главная
  2. Библиотека
  3. Электроника, электротехника, радиотехника
  4. Дано (n-MOSFET): = 5 В, = 500 Ом, затвор запитан от ист...
Разбор задачи

Дано (n-MOSFET): = 5 В, = 500 Ом, затвор запитан от источника = 3.0 В; источник на земле. Параметры транзистора: = 1.2 В, = 200 мкА/В , = 10, = 0.02 В . Найти: область работы (триод/насыщение), , , , , приближённый коэффициент усиления по напряжению .

  • Предмет: Электроника, электротехника, радиотехника
  • Автор: Кэмп
  • #Аналоговая и цифровая схемотехника
  • #Электронные компоненты и устройства
Дано (n-MOSFET): = 5 В, = 500 Ом, затвор запитан от источника = 3.0 В; источник на земле. Параметры транзистора: = 1.2 В, = 200 мкА/В , = 10, = 0.02 В . Найти: область работы (триод/насыщение), , , , , приближённый коэффициент усиления по напряжению .

Условие:

Дано (n-MOSFET): (V_{DD}) = 5 В, (R_D) = 500 Ом, затвор запитан от источника (V_G) = 3.0 В; источник на земле. Параметры транзистора: (V_{TH}) = 1.2 В, (\mu_n C_{ox}) = 200 мкА/В(^2), (\frac{W}{L}) = 10, (\lambda) = 0.02 В(^{-1}). Найти: область работы (триод/насыщение), (I_D), (V_{DS}), (g_m), (r_o), приближённый коэффициент усиления по напряжению (A_v \approx -g_m(R_D \parallel r_o)).

Решение:

Дано:

  • Напряжение источника VDD=5ВV_{DD} = 5 \, \text{В}
  • Сопротивление RD=500ΩR_D = 500 \, \Omega
  • Напряжение на затворе VG=3.0ВV_G = 3.0 \, \text{В}
  • Напряжение отсечки VT=1.2ВV_{T} = 1.2 \, \text{В}
  • Параметр подвижности $ \mu C_{ox} = 200 , \mu A/V^2$
  • Отношение ширины к длине $ \frac{W}{L} = 10$
  • Параметр λ=0.02V1\lambda = 0.02 \, V^{-1}

Найти:

  1. Область работы (триод/насыщение)
  2. Ток стока IDI_D
  3. Напряжение на стоке VDV_D
  4. Параметр трансconductance gmg_m
  5. Выходное сопротивление ror_o
  6. Приближённый коэффициент усиления по напряжению Avgm(RDro)A_v \approx -g_m (R_D \parallel r_o)

Решение:...

Внутри — полный разбор, аргументация, алгоритм решения, частые ошибки и как отвечать на каверзные вопросы препода, если спросит

Попробуй решить по шагам

Попробуй один шаг и продолжи в режиме обучения или посмотри готовое решение

Какое условие должно выполняться для n-MOSFET транзистора, чтобы он работал в режиме насыщения?

Что нужно знать по теме:

Что нужно знать по теме

Алгоритм решения

Топ 3 ошибок

Что спросит препод

Не нашел нужную задачу?

Воспользуйся поиском

Выбери предмет