Для собственного полупроводника, имеющего определенную температуру определить ширину запрещенной зоны; концентрацию носителей заряда; эффективные плотности состояний; положение уровня Ферми; подвижности носителей заряда; удельное электрическое

Для собственного полупроводника, имеющего определенную температуру определить ширину запрещенной зоны; концентрацию носителей заряда; эффективные плотности состояний; положение уровня Ферми; подвижности носителей заряда; удельное электрическое сопротивление; отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току.

Исходные дынные:

Собственный полупроводник германий (Ge)

Температура Т = 190 К

Ширина запрещенной зоны в германии при температуре 0 К:

= 4,774·10-4 эВ/К

= 235 К

Постоянная Больцмана k = 1,38·10^-23 Дж/К = 8,614·10^-5 эВ/К

Постоянная Планка h = 6,62·10^-34 Дж·с

Масса электрона m_e = 9,109·10^-31 кг

Заряд электрона q = 1,6·10^-19 Кл

Подвижность электронов при Т₀ = 300 К:

Подвижность дырок

Найти:

Ширина запрещенной зоны

Концентрация электронов n₀

Концентрация дырок p₀

Эффективная плотность состояний в зоне проводимости N_C

Эффективная плотность состояний в валентной зоне N_V

Положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны

Подвижность электронов

Подвижность дырок

Удельное электрическое сопротивление

Отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току