схемы транзисторных усилительных каскадов с ОЭ, ОБ и ОК (рис.1). - тип используемого транзистора – КТ315 №2; - напряжение питания ЕК =12 В; - параметры рабочей точки транзистора: IК0=11 мА, IБ0=60 мкА; - внутреннее сопротивление источника сигнала RГ=2

24 октября 2025
Электроника, электротехника, радиотехника

Условие:

схемы транзисторных усилительных каскадов с ОЭ, ОБ и ОК (рис.1).
- тип используемого транзистора – КТ315 №2;
- напряжение питания ЕК =12 В;
- параметры рабочей точки транзистора: IК0=11 мА,
IБ0=60 мкА;
- внутреннее сопротивление источника сигнала RГ=2 кОм;
- активное сопротивление нагрузки RН =0,3 кОм;
- емкость нагрузки CН=150 пФ;
- нижняя рабочая частота усилителя (по уровню
1/ 2
) fН=150 Гц;
- характеристики транзисторов (рис.2).
Требуется
Для схем усилительных каскадов c ОЭ, ОК, ОБ рассчитать:
- Сопротивления резисторов R1, R2, RК, RЭ , обеспечивающие заданную рабочую точку
транзистора. Построить нагрузочную прямую. (Отношение IR1/IБ0 принять равным 10).
- H- параметры транзистора в заданной рабочей точке;
- Коэффициенты усиления KU, KI, KP ;
- Входные и выходные сопротивления транзистора (RВХ, RВЫХ ) и каскада в целом (R*ВХ,
R*ВЫХ );
- Емкости конденсаторов CР1, CР2, СЭ, обеспечивающие заданные параметры каскада на
частоте fН;
- Верхнюю частоту усилительного каскада с ОЭ

Решение:

Для решения задачи по расчету транзисторных усилительных каскадов с общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК) и общим базом (ОБ) с использованием транзистора КТ315, следуем поэтапно.

1. Расчет соп...

Дано: - \( IК0 = 11 \, мА \) - \( IБ0 = 60 \, мкА \) Согласно условию, отношение \( \frac{IR1}{IБ0} = 10 \): \[ IR1 = 10 \cdot IБ0 = 10 \cdot 60 \, мкА = 600 \, мкА \] Ток эмиттера \( IЭ0 \) можно найти по формуле: \[ IЭ0 = IК0 + IБ0 = 11 \, мА + 60 \, мкА \approx 11.06 \, мА \] Для расчета резисторов используем метод деления напряжения и закон Ома. - Напряжение на резисторе \( RК \): \[ UК = IК0 \cdot RК \] - Напряжение на резисторе \( RЭ \): \[ UЭ = IЭ0 \cdot RЭ \] - Напряжение на базе \( UБ \): \[ UБ = UЕ - UЭ \] - Напряжение на резисторах \( R1 \) и \( R2 \): \[ U1 = UБ + U2 \] Для получения рабочей точки, необходимо, чтобы: \[ UК + UЭ + UБ = ЕК \] где \( ЕК = 12 \, В \). H-параметры можно определить по следующим формулам: - \( h_{11} = \frac{UБ}{IБ} \) - \( h_{12} = -\frac{UК}{IБ} \) - \( h_{21} = \frac{IК}{IБ} \) - \( h_{22} = \frac{UК}{IК} \) - \( K{21} \cdot RН}{RВХ} \) - \( K_I = \frac{IК}{IВ} \) - \( KU \cdot K_I \) - Входное сопротивление \( RВХ \) можно найти как: \[ RВХ = R1 || R2 \] - Выходное сопротивление \( RВЫХ \): \[ RВЫХ = RК \] Для расчета емкостей используем формулу: \[ C = \frac{1}{2 \pi f R} \] где \( f = 150 \, Гц \). Верхняя частота определяется по формуле: \[ f{в} C_{в}} \] где \( R{в} \) - общая емкость нагрузки. Для завершения расчетов, необходимо подставить конкретные значения в формулы и произвести вычисления. Рекомендуется использовать программное обеспечение или калькулятор для точных расчетов.