Условие задачи
Изобразите пространственное распределение зарядов и энергетические диаграммы несимметричного резкого р-n перехода (Na >Nд, где Na – концентрация акцепторных примесей в р-области; Nд – концентрация донорных примесей в n-области) для следующих случаев: а) внешнее напряжение отсутствует; б) прямое смещение перехода; в) обратное смещение перехода. При построении на горизонтальной оси откладывать расстояние Х. укажите направление диффузионного электрического поля и высоту потенциального барьера р-n перехода.
Ответ
Na NдРассмотрим монокристалл полупроводника в котором с одной стороны введена акцепторная примесь с концентрацией Na, обусловившая возникновение здесь электропроводности типа p, а с другой стороны введена донорная примесь с концентрацией Nд, благодаря которой там возникла электропроводность типа n. Каждому подвижному положительному носителю заряда в области p (дырке) соответствует отрицательно заряженный ион акцепторной примеси, но неподвижный, находящийся в узле кристаллической решетки, а в области n каждому свободному электрону соответствует положительно заряженный ион донорной примеси, в р...
