Нарисовать примерную схему структуры транзистора; изобразить для заданного режима (режимов) принципиальную электрическую схему ; определить в заданном режиме статические аш-параметры транзистора; рассчитать параметры транзистора

24 июля 2024
Электроника, электротехника, радиотехника

Условие:

Биполярный транзистор 1Т308Б

(германиевый диффузионно-сплавной -типа)

1. Нарисовать примерную схему структуры транзистора, указав на ней области эмиттера, базы, коллектора, тип электропроводности областей, электрические выводы, эмиттерный и коллекторный переходы со знаками пространственных зарядов с учетом несимметричности переходов.

2. Изобразить для заданного режима (режимов) принципиальную электрическую схему для измерения постоянных тока и напряжения транзистора, показав на ней полярность напряжения источников питания и направление токов во внещних цепях.

3. Определить в заданном режиме статические -параметры транзистора диффузионную емкость , рассеиваемую транзистором мощность постоянного тока

4. Рассчитать параметры транзистора:

Решение:

Конструктивно биполярный транзистор представляет собой пластину монокристалла полупроводника с электропроводностью р- или n-типа, по обеим сторонам которой вплавлены (или внесены другим образом) полупроводники, обладающие другим типом электропроводности. На границе раздела областей с разным типом электропроводности образуются p-n- или n-p-переходы. Каждая из областей, называемых эмиттером 1, коллектором 2 и базой 3, снабжается омическим контактом, от которого делается вывод Э, К и Б, соответственно