Раскрыть тему: Р-n-переход(электронно-дырочный переход) и его свойства. Тонкий слой полупроводника между двумя областями, одна из которых представляет полупроводник p-типа,

Тонкий слой полупроводника между двумя областями, одна из которых представляет полупроводник p-типа, а другая n-типа, называют р-n-переходом. Концентрации основных носителей заряда в р- и n-областях могут быть равны или существенно различаться. В первом случае р-п-переход называют симметричным, во втором несимметричным. Чаще используют несимметричные переходы.

Пусть концентрация акцепторной примеси в p-области больше, чем концентрация донорной примеси в n-области (рис. 1.3, а). Соответственно, концентрация дырок (светлые кружки) в р-области будет больше, чем концентрация электронов (черные кру...