Требуется пояснить каким образом ведет величина контактной разность потенциалов в случае роста концентрации донорной примеси в n-области п-н-перехода.

Электронно-дырочный или p-n переход - это контакт между областями полупроводника n- и p-типа. Электронно-дырочный переход создается в одном кристалле полупроводника в основном при помощи трех технологических операций. Это сплавная технология (в настоящее время не применяется), инжектирование примесей и эпитаксия (наращивание) дополнительных слоев атомов на поверхность кристалла. Этот способ позволяет получить наиболее качественные p-n переходы, так как при этом можно достаточно точно регулировать концентрацию примесей в объеме полупроводникового материала.