Задача: В p-n-p транзисторе, включённом в схему с общим коллектором, коэффициент передачи тока базы β ок ​ =200. В активном режиме на эмиттере существует избыточная концентрация дырок Δp=10 15 cm −3 , толщина базы W=20μm, время жизни носителей в базе

Чтобы определить ток базы в p-n-p транзисторе, включённом в схему с общим коллек...

Ток эмиттера $I_E$ можно рассчитать по формуле:

$$IE \cdot \Delta p \cdot \tau$$

где:

• $q$ — заряд электрона ($q \approx 1.6 \times 10^{-19}$ Кл),
• $S_E$ — площадь эмиттера,
• $\Delta p$ — избыточная концентрация дырок,
• $\tau$ — время жизни носителей.

Подставим известные значения:

• $S_E = 10^{-3} \, \text{cm}^2 = 10^{-7} \, \text{m}^2$,
• $\Delta p = 10^{15} \, \text{cm}^{-3} = 10^{21} \, \text{m}^{-3}$,
• $\tau = 5 \, \mu s = 5 \times 10^{-6} \, s$.

Теперь подставим значения в формулу:

$$I_E = (1.6 \times 10^{-19}) \cdot (10^{-7}) \cdot (10^{21}) \cdot (5 \times 10^{-6})$$

Выполним вычисления:

$$I_E = (1.6 \times 10^{-19}) \cdot (10^{-7}) \cdot (10^{21}) \cdot (5 \times 10^{-6}) = 1.6 \cdot 5 \cdot 10^{-19} \cdot 10^{-7} \cdot 10^{21} \cdot 10^{-6}$$

$$= 8 \cdot 10^{-11} \, A$$

Теперь, зная ток эмиттера, можем найти ток базы $I_B$ с использованием коэффициента передачи тока базы $\beta$:

IE}{\beta + 1}

Подставим известные значения:

$$\beta = 200$$

$$I_B = \frac{8 \times 10^{-11}}{200 + 1} = \frac{8 \times 10^{-11}}{201}$$

Теперь выполним вычисления:

$$I_B \approx \frac{8 \times 10^{-11}}{201} \approx 3.98 \times 10^{-13} \, A$$

Таким образом, ток базы $I_B$ составляет примерно $3.98 \times 10^{-13} \, A$ или $398 \, pA$.