Условие:
В процессе изготовления полевого транзистора осуществляется анизотропное травление слоя поликристаллического кремния толщиной 0,3 мкм, покрывающего ступеньку изолирующего окисла заданной толщины с подслоем подзатворного окисла толщиной 0,05 мкм. Определить минимальную селективность травления для полного стравливания кремниевой пленки, если считать, что пленка однородна по толщине и однородно травится.

