В схеме усилителя на биполярном транзисторе, включенном с общим эмиттером, рассчитать величины сопротивлений R1 и R2. Транзистор n-p-n выполнен из кремния, (напряжение между эмиттером и базой примерно равно 0,7 В). Имеет коэффициент усиления базового тока

Добавлена: 02.05.2026
Обновлена: 02.05.2026
Предмет: Электроника, электротехника, радиотехника
Автор: Кэмп

#Аналоговая и цифровая схемотехника
#Электронные компоненты и устройства

Условие:

В схеме усилителя на биполярном транзисторе, включенном с общим эмиттером, рассчитать величины сопротивлений R1 и R2.
Транзистор n-p-n выполнен из кремния, (напряжение между эмиттером и базой примерно равно 0,7 В).
Имеет коэффициент усиления базового тока β = 200.
Напряжение источника питания равно ЕПИТ = 15 В.
Требуется задать ток коллектора IК = 5 мА.
Установить напряжение между эмиттером и коллектором VТ = 7 В.
Определить максимальное значение амплитуды синусоидального сигнала, которое можно получить на коллекторной нагрузке с малыми искажениями.

Решение:

Шаг 1. Определим напряжения в цепи.

Напряжение питания ЕПИТ = 15 В.
Требуется обеспечить «напряжение между эмиттером и коллектором» равное 7 В. При схеме с общим эмиттером, если эмиттер принят за ноль, то напряжение коллектора V_C = 7 В.
При включении транзистора n-p-n (с кремниевым переходом V_BE ≈ 0,7 В) для работы в активном режиме необходимо, чтобы напряжение на базе V_B = V_E + 0,7 В. При эмиттере на 0 В получаем V_B = 0,7 В.

Шаг 2. Рассчитаем коллекторное сопротивление RC.
При токе коллектора I_K = 5 мА разность напряжений на RC равна разн...