Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением: Требуется: 1) Объяснить назначение модуляции, несущей и описать различные виды модуляции.

Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением:

где iк, мА - ток коллектора транзистора,

S, мА/В - крутизна характеристики,

Uб, В - напряжение на базе транзистора,

Uо, В - напряжение отсечки,

Um, В - амплитуда входного высокочастотного сигнала.

Требуется:

1) Объяснить назначение модуляции, несущей и описать различные виды модуляции.

2) Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить принцип ее работы и назначение ее элементов.

3) Дать понятие статической модуляционной характеристики (СМХ). Рассчитать и построить (СМХ) при заданных S, u₀ и значении амплитуды входного высокочастотного напряжения Um.

4) C помощью статической модуляционной характеристики определить оптимальное смещение E₀ и допустимую величину амплитуды U_W модулирующего напряжения U_W×cosWt, соответствующие неискаженной модуляции.

5) Рассчитать коэффициент модуляции m_АМ для выбранного режима. Построить спектр и временную диаграмму АМ-сигнала.

6) На входе детектора действует амплитудно-модулированное колебание

U_АМ(t) = Um [1 + m_АМ cos(2pFt)]cos(2pf₀t)

Требуется:

а) Пояснить назначение детектирования модулированных колебаний. Изобразить схему диодного детектора и описать принцип ее работы.

б) Рассчитать необходимое значение сопротивления нагрузки детектора R_Н для получения заданного значения коэффициента передачи детектора k_Д.

в) Выбрать значение емкости нагрузки детектора C_Н при заданных f₀ и F.

г) Рассчитать и построить спектры напряжений на входе и выходе детектора. Значения S, m_AM и k_Д даны в таблице 2, а значения Um, F и f₀ – в таблице 2.

Таблица 2 – Исходные данные 2