Через кристалл кремния n-типа с удельным объемным сопротивлением 0,1 Ом·м пропускают электрический ток плотностью 200 мА/см2. За какое время электроны проходят расстояние 10 мкм, если их подвижность 0,14 м2/(В·с)? — задача №701665

Добавлена: 05.11.2026
Обновлена: 05.11.2026
Предмет: Физика
Автор: Кэмп

#Электричество и магнетизм
#Физика конденсированного состояния

Условие:

Через кристалл кремния n-типа с удельным объемным сопротивлением 0,1 Ом·м пропускают электрический ток плотностью 200 мА/см2. За какое время электроны проходят расстояние 10 мкм, если их подвижность 0,14 м2/(В·с)?

Решение:

Дано:

Тип полупроводника: $n$ -тип
Удельное сопротивление: $\rho = 0,1$ Ом $\cdot$ м
Плотность тока: $j = 200$ мА/см $^2 = 2000$ А/м $^2$
Расстояние: $L = 10$ мкм $= 10 \times 10^{-6}$ м $= 10^{-5}$ м
Подвижность электронов: $\mu_n = 0,14$ м $^2$ /(В $\cdot$ с)
Заряд электрона: $q = 1,6 \times 10^{-19}$ Кл

Найти:

Время прохождения пути электронами: $t$

Решение:

Шаг 1: Найдем концентрацию электронов ( $n$ ) В полупроводниках $n$ -типа проводимость определяется в основном электронами. Удельная проводимость $\sigma$ с...

Внутри — полный разбор, аргументация, алгоритм решения, частые ошибки и как отвечать на каверзные вопросы препода, если спросит

Попробуй решить по шагам

Попробуй один шаг и продолжи в режиме обучения или посмотри готовое решение

Какой параметр является ключевым для определения дрейфовой скорости электронов в полупроводнике при известной плотности тока и концентрации носителей заряда?

Удельное объемное сопротивление

Заряд электрона

Подвижность электронов