Имеется кремниевый диод. Вычислить: высоту потенциального барьера φк, считая, что концентрация легирующих примесей Nа=1017 см-3 и NД=1014 см-3; максимальную напряженность электрического поля и толщину области перехода; высоту потенциального барьера и

1. Дано

• Материал: кремний ($Si$).
• Концентрация акцепторов: $N_a = 10^{17}$ см$^{-3}$.
• Концентрация доноров: $N_д = 10^{14}$ см$^{-3}$.
• Собственная концентрация носителей в кремнии при $T = 300$ К: $n_i \approx 1.5 \times 10^{10}$ см$^{-3}$.
• Диэлектрическая проницаемость кремния: $\varepsilon = 11.7$.
• Диэлектрическая постоянная: $\varepsilon_0 = 8.85 \times 10^{-14}$ Ф/см.
• Заряд электрона: $q = 1.6 \times 10^{-19}$ Кл.
• Постоянная Больцмана: $k = 1.38 \times 10^{-23}$ Дж/К.
• Температура: $T = 300$ К.
• Тепловой потенциал: $\varphi_T = \frac{kT}{q} \approx 0.0259$ В.

2. Решение

а) Высота потенциального барьера $\varphi_к$...