1. Главная
  2. Библиотека
  3. Физика
  4. Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны Nд=1017...

Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны Nд=1017 см-3, NA=1015 см-3. Площадь перехода равна S, T=300 K.

«Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны Nд=1017 см-3, NA=1015 см-3. Площадь перехода равна S, T=300 K.»
  • Физика

Условие:

Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны Nд=1017 см-3, NA=1015 см-3. Площадь перехода равна S, T=300 K. 

Диффузионная длина электронов Ln=0.045см, диффузионная длина дырок Lp=0.03см, площадь перехода S=0,001 см2.

Найти Обратный тепловой ток перехода I0, барьерную емкость Сбар и дифференциальное сопротивление перехода rpn в равновесном состоянии (u=0, i=0).

Материал полупроводника-Si.

Решение:

1. С учетом дырочной состовляющей обратный тепловой ток может быть записан :

,

где

Dn = 36 см2/с коэффициент диффузии электронов кремния,

Dр = 13 см2/с коэффициент диффузии дырок кремния,

ni=1,45∙1010 см-3-собственная концентрация носителей заряда кремния.

2. Определим концентрации основных носителей зарядов в переходе:

Похожие задачи

Не нашел нужную задачу?

Воспользуйся поиском

AI помощники

Выбери предмет

E
S
А
Б
В
Г
Д
Е
Ж
З
И
К
Л
М
Н
О
П
Р
С
Т
У
Ф
Х
Ц
Ч
Э
Я