Условие задачи
Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны Nд=1017 см-3, NA=1015 см-3. Площадь перехода равна S, T=300 K.
Диффузионная длина электронов Ln=0.045см, диффузионная длина дырок Lp=0.03см, площадь перехода S=0,001 см2.
Найти Обратный тепловой ток перехода I0, барьерную емкость Сбар и дифференциальное сопротивление перехода rpn в равновесном состоянии (u=0, i=0).
Материал полупроводника-Si.
Ответ
1. С учетом дырочной состовляющей обратный тепловой ток может быть записан :
,
где
Dn = 36 см2/с коэффициент диффузии электронов кремния,
Dр = 13 см2/с коэффициент диффузии дырок кремния,
ni=1,45∙1010 см-3-собственная концентрация носителей заряда кремния.
2. Определим концентрации основных носителей зарядов в переходе:
