Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны Nд=1017 см-3, NA=1015 см-3. Площадь перехода равна S, T=300 K.

Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны N_д=1017 см^-3, NA=1015 см^-3. Площадь перехода равна S, T=300 K. 

Диффузионная длина электронов L_n=0.045см, диффузионная длина дырок L_p=0.03см, площадь перехода S=0,001 см².

Найти Обратный тепловой ток перехода I₀, барьерную емкость С_бар и дифференциальное сопротивление перехода rpn в равновесном состоянии (u=0, i=0).

Материал полупроводника-Si.