1. Главная
  2. Библиотека
  3. Физика
  4. Полупроводник находится под стационарным внешним воздействием, выражающемся в однородном облучении его светом. Скорость ге...

Полупроводник находится под стационарным внешним воздействием, выражающемся в однородном облучении его светом. Скорость генерации электронов под действием света Gвн=1020 см-3/с.

«Полупроводник находится под стационарным внешним воздействием, выражающемся в однородном облучении его светом. Скорость генерации электронов под действием света Gвн=1020 см-3/с.»
  • Физика

Условие:

Полупроводник находится под стационарным внешним воздействием, выражающемся в однородном облучении его светом. Скорость генерации электронов под действием света Gвн=1020 см-3/с. Время жизни неравновесных электронов в полупроводнике τ = 10-7 с.

Найти избыточную концентрацию электронов ∆n.

Материал полупроводника-Ge

Решение:

Запишем уравнение непрерывности, оно описывает скорость изменения концентрации носителей в полупроводнике. Для одномерного случая его можно записать в виде:

где Dn коэффициент диффузии; g скорость генерации; избыточная концентрация электронов; n время жизни эле...

Не нашел нужную задачу?

Воспользуйся поиском

Выбери предмет