Условие задачи
Полупроводник находится под стационарным внешним воздействием, выражающемся в однородном облучении его светом. Скорость генерации электронов под действием света Gвн=1020 см-3/с. Время жизни неравновесных электронов в полупроводнике τ = 10-7 с.
Найти избыточную концентрацию электронов ∆n.
Материал полупроводника-Ge
Ответ
Запишем уравнение непрерывности, оно описывает скорость изменения концентрации носителей в полупроводнике. Для одномерного случая его можно записать в виде:
где Dn коэффициент диффузии; g скорость генерации; избыточная концентрация электронов; n время жизни эле...
Потяни
