Условие:
При какой температуре концентрация собственных носителей в кремнии будет равна концентрации собственных носителей в германии при Т=300 К? Ширина запрещенной зоны в германии ∆Wg=0,72 эВ, в кремнии ∆Wg=1,12 эВ.
Решение:
Для решения этой задачи мы будем использовать формулу для концентрации собственных носителей в полупроводниках, которая зависит от температуры и ширины запрещенной зоны. Концентрация собственных носителей n_i определяется по формуле:
\nn_i = A * T^(3/2) * exp(-ΔWg / (2 * k * T))
где:
- A — константа, зависящая от материала,
- T — температура в Кельвинах,
- ΔWg — ширина запрещенной зоны в эВ,
- k — постоянная Больцмана, примерно равная 8.617 x 10^(-5) эВ/К.
Для кремния (Si) и германия (Ge) у нас есть следующие данные: - ΔWg(Si) =...
Внутри — полный разбор, аргументация, алгоритм решения, частые ошибки и как отвечать на каверзные вопросы препода, если спросит
Попробуй решить по шагам
Попробуй один шаг и продолжи в режиме обучения или посмотри готовое решение
Что нужно знать по теме:
Что нужно знать по теме
Алгоритм решения
Топ 3 ошибок
Что спросит препод
Похожие задачи