В германиевом туннельном диоде концентрация акцепторной примеси равна концентрации донорной примеси, причем на каждые 10^3 атомов германия приходится один атом примеси. Определить при Т = 300 К контактную разность потенциалов и ширину области объемного

Для решения этой задачи воспользуемся физическими характеристиками германия ($Ge$) при температуре $T = 300$ К.

1. Дано

• Материал: германий ($Ge$).
• Температура: $T = 300$ К.
• Концентрация примесей: $N_a = N_d = N$.
• Отношение примесных атомов к атомам германия: $\frac{1}{10^3} = 10^{-3}$.
• Плотность атомов германия $n_{Ge} \approx 4.4 \times 10^{22}$ см$^{-3}$.
• Собственная концентрация носителей в $Ge$ при $300$ К: $n_i \approx 2.4 \times 10^{13}$ см$^{-3}$.
• Диэлектрическая проницаемость $Ge$: $\varepsilon = 16$.
• Относительная диэлектрическая проницаемость ваку...