1. Главная
  2. Библиотека
  3. Физика
  4. Вычислить для температуры 300 К контактную разность потенциалов p-n-перехода, сформированного в фосфиде индия, если равнов...

Вычислить для температуры 300 К контактную разность потенциалов p-n-перехода, сформированного в фосфиде индия, если равновесные концентрации основных носителей заряда в p- и n- областях одинаковы

«Вычислить для температуры 300 К контактную разность потенциалов p-n-перехода, сформированного в фосфиде индия, если равновесные концентрации основных носителей заряда в p- и n- областях одинаковы»
  • Физика

Условие:

Вычислить для температуры 300 К контактную разность потенциалов p-n-перехода, сформированного в фосфиде индия, если равновесные концентрации основных носителей заряда в p- и n- областях одинаковы и равны 1017 см-3, а собственная концентрация ni=1013 см-3. Определить толщину слоя объемного заряда.

Решение:

Дано:

T=300 К;

n=1017 см-3=1023 м-3;

ni=1013 см-3.

Определить: U h.

Контактная разность потенциалов равна

Не нашел нужную задачу?

Воспользуйся поиском

Выбери предмет