Вычислить период кристаллической решётки полупроводника GаN, если известна плотность кристалла совершенной структуры и чистоты. ρ=6100 кг/м3.
«Вычислить период кристаллической решётки полупроводника GаN, если известна плотность кристалла совершенной структуры и чистоты. ρ=6100 кг/м3.»
- Физика
Условие:
Вычислить период кристаллической решётки полупроводника GаN, если известна плотность кристалла совершенной структуры и чистоты. ρ=6100 кг/м3.
Решение:
Данные элементы образуют кристаллическую решётку типа вюртцита, состоит из двух гексагональных плотноупакованных решёток Ga и N. Атомы в вершинах принадлежат решётке на 1/6, в центре грани на половину, внутри кристала полностью.
...
Похожие задачи
Не нашел нужную задачу?
Воспользуйся поиском
AI помощники
Выбери предмет
S
А
Б
В
Г
И
К
М
П
- Правоохранительные органы
- Пожарная безопасность
- Парикмахерское искусство
- Природообустройство и водопользование
- Почвоведение
- Приборостроение и оптотехника
- Промышленный маркетинг и менеджмент
- Производственный маркетинг и менеджмент
- Процессы и аппараты
- Программирование
- Право и юриспруденция
- Психология
- Политология
- Педагогика
С
Т
- Трудовое право
- Теория государства и права (ТГП)
- Таможенное право
- Теория игр
- Теория вероятностей
- Теоретическая механика
- Теория управления
- Технология продовольственных продуктов и товаров
- Технологические машины и оборудование
- Теплоэнергетика и теплотехника
- Туризм
- Товароведение
- Таможенное дело
- Торговое дело
- Теория машин и механизмов
- Транспортные средства
Ф
Э