Условие:
Вычислить период кристаллической решётки полупроводника GаN, если известна плотность кристалла совершенной структуры и чистоты. ρ=6100 кг/м3.
Решение:
Данные элементы образуют кристаллическую решётку типа вюртцита, состоит из двух гексагональных плотноупакованных решёток Ga и N. Атомы в вершинах принадлежат решётке на 1/6, в центре грани на половину, внутри кристала полностью.
...