Вычислите плотность тока проводимости, обусловленную положительными носителями заряда в собственном полупроводнике при температуре 182 градуса по Кельвину при имеющихся исходных данных.

Вычислите плотность тока проводимости, обусловленную положительными носителями заряда в собственном полупроводнике при температуре 182 К, в котором (m_p*m_е*)^1/2=m_e , ширина запрещённой зоны ΔЕ_g = 1,08 эВ, подвижность носителей заряда u = 500 см² /(В с) и напряженность электрического поля E = 60 В/м.