Для полупроводника n-типа с концентрацией донорных примесей Nd определить концентрацию основных и неосновных носителей заряда; положение уровня Ферми; удельное электрическое сопротивление; отношение

Для полупроводника n-типа с концентрацией донорных примесей N_d определить концентрацию основных и неосновных носителей заряда; положение уровня Ферми; удельное электрическое сопротивление; отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току. 

Исходные дынные:

Полупроводник n-типа

Концентрация донорной примеси: N_d = 18·1020 м^-3 = 18·10¹⁴ см^-3 = 1,8·10¹⁵ см^-3

Температура Т = 270 К

Постоянная Больцмана k = 1,38·10^-23 Дж/К = 8,614·10^-5 эВ/К

Заряд электрона q = 1,6·10^-19 Кл

Подвижность электронов = 0,197 м²/(В·с)

Подвижность дырок = 0,076 м²/(В·с)

Эффективная плотность состояний в зоне проводимости N_C = 2,4·10²⁵ м^-3

Эффективная плотность состояний в валентной зоне N_V = 9·10²⁴ м^-3

Собственная концентрация n_i = 4·10¹⁴ м^-3

Найти:

1. Концентрация основных носителей заряда
2. Концентрация неосновных носителей заряда
3. Положение уровня Ферми
4. Удельное электрическое сопротивление
5. Отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току