1. Главная
  2. Библиотека
  3. Материаловедение
  4. Определите при температуре 300 К равновесную концентрацию вакансий по мышьяку в анионной подрешетке Ga As. Энергия образов...

Определите при температуре 300 К равновесную концентрацию вакансий по мышьяку в анионной подрешетке Ga As. Энергия образования вакансий по мышьяку в GaAs равна 2,31 эВ; период решетки арсенида галлия при 300 К равен 0,5653 нм.

«Определите при температуре 300 К равновесную концентрацию вакансий по мышьяку в анионной подрешетке Ga As. Энергия образования вакансий по мышьяку в GaAs равна 2,31 эВ; период решетки арсенида галлия при 300 К равен 0,5653 нм.»
  • Материаловедение

Условие:

Определите при температуре 300 К равновесную концентрацию вакансий по мышьяку в анионной подрешетке Ga As. Энергия образования вакансий по мышьяку в GaAs равна 2,31 эВ; период решетки арсенида галлия при 300 К равен 0,5653 нм.

Решение:

Температурная концентрация вакансий равна

Структура типа алмаза подобна кубической гранец...

Не нашел нужную задачу?

Воспользуйся поиском

Выбери предмет