Определите при температуре 300 К равновесную концентрацию вакансий по мышьяку в анионной подрешетке Ga As. Энергия образования вакансий по мышьяку в GaAs равна 2,31 эВ; период решетки арсенида галлия при 300 К равен 0,5653 нм.
«Определите при температуре 300 К равновесную концентрацию вакансий по мышьяку в анионной подрешетке Ga As. Энергия образования вакансий по мышьяку в GaAs равна 2,31 эВ; период решетки арсенида галлия при 300 К равен 0,5653 нм.»
- Материаловедение
Условие:
Определите при температуре 300 К равновесную концентрацию вакансий по мышьяку в анионной подрешетке Ga As. Энергия образования вакансий по мышьяку в GaAs равна 2,31 эВ; период решетки арсенида галлия при 300 К равен 0,5653 нм.
Решение:
Температурная концентрация вакансий равна
Структура типа алмаза подобна кубической гранец...
Похожие задачи
Не нашел нужную задачу?
Воспользуйся поиском
AI помощники
Выбери предмет
S
А
Б
В
Г
И
К
М
П
- Правоохранительные органы
- Пожарная безопасность
- Парикмахерское искусство
- Природообустройство и водопользование
- Почвоведение
- Приборостроение и оптотехника
- Промышленный маркетинг и менеджмент
- Производственный маркетинг и менеджмент
- Процессы и аппараты
- Программирование
- Право и юриспруденция
- Психология
- Политология
- Педагогика
С
Т
- Трудовое право
- Теория государства и права (ТГП)
- Таможенное право
- Теория игр
- Теория вероятностей
- Теоретическая механика
- Теория управления
- Технология продовольственных продуктов и товаров
- Технологические машины и оборудование
- Теплоэнергетика и теплотехника
- Туризм
- Товароведение
- Таможенное дело
- Торговое дело
- Теория машин и механизмов
- Транспортные средства
Ф
Э