Определите при температуре 300 К равновесную концентрацию вакансий по мышьяку в анионной подрешетке Ga As. Энергия образования вакансий по мышьяку в GaAs равна 2,31 эВ; период решетки арсенида галлия при 300 К равен 0,5653 нм.

Определите при температуре 300 К равновесную концентрацию вакансий по мышьяку в анионной подрешетке Ga As. Энергия образования вакансий по мышьяку в GaAs равна 2,31 эВ; период решетки арсенида галлия при 300 К равен 0,5653 нм.