Осаждение из коллоидных растворов • Способ заключается в синтезе наночастиц из исходных реагентов раствора и прерывании реакции (роста размеров наночастиц) в определенный момент времени, например, скачкообразным

Определите при температуре 300 К равновесную концентрацию вакансий по мышьяку в анионной подрешетке Ga As. Энергия образования вакансий по мышьяку в GaAs равна 2,31 эВ; период решетки арсенида галлия при 300 К равен 0,5653 нм.

Плоский конденсатор с заданным диэлектриком имеет размеры обкладок А×В и толщину H. Параметры диэлектрика ρV, Tg δ, ε ИU Приведены в таблице. Вычислить и сравнить силу тока утечки

Сталь науглероживают из газовой фазы при 1000°С. В газовой фазе происходит реакция СН4 = 2Н, + С. Константа скорости реакции К = 10° м/с, коэффициент диффузии углерода D = 3•10" м'/с, растворимость углерода в стали при 1000°С Сс = 1,4% (по массе). Сколько