Провести расчет энергии активации носителей заряда в диэлектрике и полупроводниковой композиции, если при изменении температуры от 30 ℃ до (100+0,1*N)=100+0,1*13=101,3 ℃ удельное сопротивление диэлектрика уменьшается от

Провести  расчет  энергии активации носителей заряда в диэлектрике  и полупроводниковой   композиции, если при изменении температуры от 30 ℃ до (100+0,1*N)=100+0,1*13=101,3 ℃ удельное сопротивление диэлектрика уменьшается от ρ_v=10¹²  Ом*м до  ρ_v=10¹⁰  Ом*м. Рассчитать энергию активации носителей заряда, определить удельное сопротивление при 70°С. 

Рассчитать энергию активации носителей заряда для полупроводниковой композиции (смесь окислов меди и марганца), если сопротивление термочувствительного элемента, выполненного из указанной композиции при температурах от 20 ℃ до (100+0,1*N)=101,3 ℃, изменяется от 35 кОм до 2,1 кОм. Определить сопротивление элемента при 50°С.