схемы транзисторных усилительных каскадов с ОЭ, ОБ и ОК (рис.1). - тип используемого транзистора – КТ315 №2; - напряжение питания ЕК =12 В; - параметры рабочей точки транзистора: IК0=11 мА, IБ0=60 мкА; - внутреннее сопротивление источника сигнала RГ=2

Для решения задачи по расчету транзисторных усилительных каскадов с общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК) и общим базом (ОБ) с использованием транзистора КТ315, следуем поэтапно.

1. Расчет соп...

Дано:

• $IК0 = 11 \, мА$
• $IБ0 = 60 \, мкА$

Согласно условию, отношение $\frac{IR1}{IБ0} = 10$:

$$IR1 = 10 \cdot IБ0 = 10 \cdot 60 \, мкА = 600 \, мкА$$

Ток эмиттера $IЭ0$ можно найти по формуле:

$$IЭ0 = IК0 + IБ0 = 11 \, мА + 60 \, мкА \approx 11.06 \, мА$$

Для расчета резисторов используем метод деления напряжения и закон Ома.

• Напряжение на резисторе $RК$:

  $$UК = IК0 \cdot RК$$

• Напряжение на резисторе $RЭ$:

  $$UЭ = IЭ0 \cdot RЭ$$

• Напряжение на базе $UБ$:

  $$UБ = UЕ - UЭ$$

• Напряжение на резисторах $R1$ и $R2$:

  $$U1 = UБ + U2$$

Для получения рабочей точки, необходимо, чтобы:

$$UК + UЭ + UБ = ЕК$$

где $ЕК = 12 \, В$.

H-параметры можно определить по следующим формулам:

• $h_{11} = \frac{UБ}{IБ}$

• $h_{12} = -\frac{UК}{IБ}$

• $h_{21} = \frac{IК}{IБ}$

• $h_{22} = \frac{UК}{IК}$

• K{21} \cdot RН}{RВХ}

• $K_I = \frac{IК}{IВ}$

• $KU \cdot K_I$

• Входное сопротивление $RВХ$ можно найти как:

  $$RВХ = R1 || R2$$

• Выходное сопротивление $RВЫХ$:

  $$RВЫХ = RК$$

Для расчета емкостей используем формулу:

$$C = \frac{1}{2 \pi f R}$$

где $f = 150 \, Гц$.

Верхняя частота определяется по формуле:

f{в} C_{в}}

где $R{в}$ - общая емкость нагрузки.

Для завершения расчетов, необходимо подставить конкретные значения в формулы и произвести вычисления. Рекомендуется использовать программное обеспечение или калькулятор для точных расчетов.