Определить зависимость индуктируемой ЭДС от угла поворота рамки и построить график этой зависимости. Квадратная рамка Р, длина которой ℓ, вращается с угловой скоростью ω в однородном магнитном поле с магнитной индукцией В.

Для схемы на рис. 5 определить действующие значения напряжения тока и напряжения на всех элементах схемы. Вычислить активную и реактивную мощность, сдвиг фаз напряжения и

Для электрической цепи постоянного тока определить токи I_1 – I_9 в ветвях резисторов R_1 – R_9, режимы работы источников питания, составить баланс мощностей.  Внутренним   сопротивлением   источников   пренебречь.

В работе производится изучение экспериментальных характеристик диода с барьером Шоттки на основе эпитаксиальной структуры GaAs. Эпитаксиальная структура сформирована на подложке полуизолирующего арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из