Какая доля электронов с энергией эВ, падающих на низкую сторону (стенку) прямоугольного несимметричного потенциального барьера с параметрами и шириной , сможет его преодолеть?

Добавлена: 27.04.2026
Обновлена: 27.04.2026
Предмет: Физика
Автор: Кэмп

#Физика элементарных частиц
#Квантовая механика

Какая доля электронов с энергией эВ, падающих на низкую сторону (стенку) прямоугольного несимметричного потенциального барьера с параметрами и шириной , сможет его преодолеть?

Условие:

Какая доля электронов с энергией $E=1$ эВ, падающих на низкую сторону (стенку) прямоугольного несимметричного потенциального барьера с параметрами $U_{1}=E, U_{2}=4 U_{1}$ и шириной $l=7.8 \cdot 10^{-8} \mathrm{~cm}$ , сможет его преодолеть?

Решение:

Определим параметры барьера:
- Энергия электрона $E = 1$ эВ.
- Высота первого барьера $U_1 = E = 1$ эВ.
- Высота второго барьера $U_2 = 4U_1 = 4$ эВ.
- Ширина барьера $l = 7.8 \cdot 10^{-8}$ см = $7.8 \cdot 10^{-6}$ м (переведем в метры).
Рассчитаем параметры для первого барьера:
- Разница между энергией электрона и высотой барьера: $U_1 - E = 1 \, \text{эВ} - 1 \, \text{эВ} = 0 \, \text{эВ}$ .
- Поскольку энергия электрона равна высоте барьера, туннелирование через этот барьер будет минимальным.
Рассчитаем параметры для второго барь...