Полупроводник находится под стационарным внешним воздействием, выражающемся в однородном облучении его светом. Скорость генерации электронов под действием света Gвн=10^20 см^-3/с. Время жизни неравновесных электронов в полупроводнике τ = 10^-7 с.

Добавлена: 20.05.2026
Обновлена: 20.05.2026
Предмет: Физика
Автор: Кэмп

#Физика конденсированного состояния
#Физическая электроника

Условие:

Полупроводник находится под стационарным внешним воздействием, выражающемся в однородном облучении его светом. Скорость генерации электронов под действием света Gвн=10^20 см^-3/с. Время жизни неравновесных электронов в полупроводнике τ = 10^-7 с. Определить Избыточную концентрацию электронов ∆n, Материал полупроводника Si

Решение:

Решение задачи о стационарной генерации носителей заряда

1. Дано:

Скорость генерации электронов под действием света (внешняя генерация): $G_{\text{вн}} = 10^{20}$ см $^{-3}$ /с.
Время жизни неравновесных электронов: $\tau = 10^{-7}$ с.
Материал: Кремний (Si). (Хотя для расчета избыточной концентрации при стационарной генерации знание материала не требуется, если не даны другие параметры, такие как фоновая концентрация $n_0$ ).

2. Найти:

Избыточная концентрация электронов: $\Delta n$ .

3. Решение:

В условиях стационарного внешнего воздействия (постоянное облуч...

Внутри — полный разбор, аргументация, алгоритм решения, частые ошибки и как отвечать на каверзные вопросы препода, если спросит

Попробуй решить по шагам

Попробуй один шаг и продолжи в режиме обучения или посмотри готовое решение

Какое условие является ключевым для применения формулы $\Delta n = G_{\text{вн}} \cdot \tau$ при расчете избыточной концентрации носителей заряда в полупроводнике?

Полупроводник находится в состоянии теплового равновесия.

Скорость генерации носителей заряда равна скорости их рекомбинации.

Концентрация легирующих примесей значительно превышает концентрацию собственных носителей.