Условие:
Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны Nд=1018 см-3, NA=1015 см-3. Площадь перехода равна S, время жизни неравновесных электронов τn=10-6 с, T=300 K
Обратный тепловой ток перехода I0, барьерную емкость перехода С бар в равновесном состоянии (u=0) и диффузионную емкость перехода С диф при прямом токе i=10 мА
Материал полупроводника - Si ; Диффузионная длина электронов Ln, см - 0,015; Диффузионная длина дырок Lp, см - 0,01; Площадь перехода S, см2 - 0,004

