1. Главная
  2. Библиотека
  3. Высшая математика
  4. При нагревании собственного полупроводника натуральный...
Разбор задачи

При нагревании собственного полупроводника натуральный логарифм концентрации свободных носителей заряда увеличился на 16. До какой температуры нагрели полупроводник, если его начальная температура была равна 200 К, а уровень Ферми лежит на расстоянии 0,46

  • Предмет: Высшая математика
  • Автор: Кэмп
  • #Математический анализ
  • #Уравнения математической физики
При нагревании собственного полупроводника натуральный логарифм концентрации свободных носителей заряда увеличился на 16. До какой температуры нагрели полупроводник, если его начальная температура была равна 200 К, а уровень Ферми лежит на расстоянии 0,46

Условие:

При нагревании собственного полупроводника натуральный логарифм концентрации свободных носителей заряда увеличился на 16. До какой температуры нагрели полупроводник, если его начальная температура была равна 200 К, а уровень Ферми лежит на расстоянии 0,46 эВ от верхнего уровня валентной зоны? k = 1,38 ⋅ 10⁻²³ Дж/К.

Решение:

Шаг 1. Запишем зависимость концентрации свободных носителей от температуры для собственного полупроводника. Обычно выражают ln(n) = –E/(k·T) + const, где E – энергия, необходимая для формирования носителей. При изменении температуры изменение логарифма концентрации определяется разностью:
  Δ[ln(n)] = –E/(k·T2) + E/(k·T1).

Шаг 2. По условию при нагревании Δ[ln(n)] = 16. Тогда:...

Внутри — полный разбор, аргументация, алгоритм решения, частые ошибки и как отвечать на каверзные вопросы препода, если спросит

Попробуй решить по шагам

Попробуй один шаг и продолжи в режиме обучения или посмотри готовое решение

Какое физическое явление описывает зависимость концентрации свободных носителей заряда от температуры в собственном полупроводнике?

Что нужно знать по теме:

Что нужно знать по теме

Алгоритм решения

Топ 3 ошибок

Что спросит препод

Выбери предмет