При создании диода Шоттки на структуре Au-GaAs получено значение барьера Шоттки Ф равным 0,7 эВ. Концентрация носителей в полупроводнике равна 5 * 10^15 см^(-3). Площадь контакта S равна 10^(-4) см^(2) и толщина базы диода W равна 50 микрометров. Температура T равна 300 кельвин.
Рассчитать вольт-амперную характеристику c учетом эффекта Шоттки.
Определить частотный диапазон диода.
Исходные данные: – Рабочий контакт: Au – GaAs. – Высота барьера Ф = 0,7 эВ. – Концентрация доноров (носителей) в GaAs: N = 5·10^15 см⁻³. – Площадь контакта: S = 10⁻⁴ см². – Толщина базы (слоя) диода: W = 50 мкм = 5·10⁻³ см. – Температура: T = 300 K. – Примем постоянную Больцмана в электронвольтах: kT ≈ 0,02585 эВ при T = 300 K. – Для расчётов используем эффективную ричардсоновскую постоянную для GaAs A** примерно 8 А/(см²·К²) (это приближённое значение).
ВАХ для диода по модели термоэмиссии В классическом случае для Schottky-диода ток описывается формулой: \tI = I₀ · [exp(qV/(kT)) – 1], где насыщенный ток I₀ определяется выражением \tI₀ = A**...
Внутри — полный разбор, аргументация, алгоритм решения, частые ошибки и как отвечать на каверзные вопросы препода, если спросит
Попробуй решить по шагам
Попробуй один шаг и продолжи в режиме обучения или посмотри готовое решение
