Условие:
1. Для резкого p-n - перехода в состоянии равновесия получить аналитически и представить графически зависимости от координаты:
плотности объемного заряда ρ(x) ; напряженности контактного поля Ek(x); потенциала контактного поля ϕ(x) ;
вычислить равновесные концентрации основных и неосновных носителей в p- и n- областях.
2. Изобразить энергетическую диаграмму перехода и плотности объемного заряда (( Eф ,Eпр, Eв = f(x) ) .
3. Получить аналитически и представить графически идеальную ВАХ этого p-n - перехода при T=300 К. Принять время жизни электронов и дырок равным 10-5 с.
4. Считая переход тонким (т.е. пренебрегая рекомбинацией в переходе), аналитически получить и представить графически зависимости векторов плотности тока jp
(p)
, jn
(p) , jn
(n) и jp
(n) от координаты для одного (по выбору преподавателя) напряжения при прямом и обратном смещениях, и концентрации электронов и дырок от координаты.
5. Подобрать металлы для антизапорного контакта с p- и n-областями этого перехода. Объяснить свой выбор
